Neues E

Microchip Technology hat kürzlich das E-Fuse Demonstrator Board angekündigt, das auf Siliziumkarbid (SiC)-Technologie basiert und in sechs Varianten für 400–800-V-Batteriesysteme und mit einer Stromstärke von bis zu 30 Ampere erhältlich ist.

Der E-Fuse-Demonstrator kann Fehlerströme in Mikrosekunden erkennen und unterbrechen, was aufgrund seines Hochspannungs-Festkörperdesigns 100–500 Mal schneller als herkömmliche mechanische Ansätze ist. Die schnelle Reaktionszeit reduziert Spitzenkurzschlussströme erheblich von mehreren zehn Kiloampere auf Hunderte von Ampere, wodurch verhindert werden kann, dass ein Fehlerereignis zu einem schweren Ausfall führt.

„Der E-Fuse-Demonstrator bietet BEV/HEV-OEM-Designern eine SiC-basierte Technologielösung, um ihren Entwicklungsprozess mit einer schnelleren und zuverlässigeren Methode zum Schutz der Leistungselektronik anzukurbeln“, sagte Clayton Pillion, Vizepräsident der Siliziumkarbid-Geschäftseinheit von Microchip. „Das E-Fuse-Festkörperdesign lindert auch Bedenken hinsichtlich der langfristigen Zuverlässigkeit elektromechanischer Geräte, da keine Beeinträchtigungen durch mechanische Stöße, Lichtbögen oder Kontaktprellen auftreten.“

Mit der rücksetzbaren Funktion des E-Fuse-Demonstrators können Designer eine E-Fuse problemlos in das Fahrzeug einbauen, ohne die Last von Design-für-Wartungs-Einschränkungen auf sich nehmen zu müssen. Dies reduziert die Designkomplexität und ermöglicht eine flexible Fahrzeugverpackung, um die Verteilung des BEV/HEV-Stromsystems zu verbessern.

Dank der integrierten LIN-Kommunikationsschnittstelle (Local Interconnect Network) können OEMs mit dem E-Fuse-Demonstrator die Entwicklung von SiC-basierten Hilfsanwendungen beschleunigen. Die LIN-Schnittstelle ermöglicht die Konfiguration der Überstrom-Auslösecharakteristik, ohne dass Hardwarekomponenten geändert werden müssen, und meldet außerdem den Diagnosestatus.

Der E-Fuse-Demonstrator nutzt die unübertroffene Robustheit und Leistung der SiC-MOSFET-Technologie von Microchip und der Core Independent Peripherals (CIPs) der PIC®-Mikrocontroller mit einer LIN-basierten Schnittstelle. Die Begleitkomponenten sind für die Automobilindustrie geeignet und bieten im Vergleich zu einem diskreten Design eine geringere Teileanzahl und eine höhere Zuverlässigkeit.

Die SiC-Stromversorgungslösungen von Microchip bieten das branchenweit umfassendste und flexibelste Portfolio an MOSFETs, Dioden und Gate-Treibern in Bare-Chip-, diskreten, Modulen und anpassbaren Leistungsmodulen.